在2024年IEEE IEDM国际电子器件会议上，IBM和日本Rapidus公司展示了合作研发的多阈值电压GAA晶体管技术，该技术将应用于Rapidus的2nm制程生产。IBM指出，在2nm制程中，晶体管结构从FinFET转变为GAAFET，这带来了实现多阈值电压的新挑战。通过引入两种不同的选择性减少层（SLR）芯片构建工艺，IBM和Rapidus成功解决了这一挑战，并使得Nanosheet纳米片结构的应用更为可行。IBM研究院的高级技术人员Bao Ruqiang表示，与FinFET相比，Nanosheet结构更为复杂，但新生产工艺更为简单，有助于Rapidus可靠地大规模应用2纳米片技术生产芯片。