2024年12月，第70届IEEE国际电子设备年会（IEDM）将在旧金山举行，届时将有台积电、IMEC、IBM和三星等半导体公司研究人员出席，并分享关于垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET）技术的最新成果。CFET技术被视为下一代半导体技术的重要发展方向，有望实现工艺尺寸的进一步微缩。各大公司均有所进展，如台积电将在会议上介绍48nm栅距的CFET逆变器性能，IBM和三星将展示单片堆叠FET，IMEC则专注于双排CFET的研究。IMEC预计CFET技术将在2032年的A5工艺节点广泛量产。