三星电子为提升HBM内存业务竞争力，实施「双轨化」改革，现有DRAM设计团队负责HBM3E研发，新成立的团队专注于HBM4开发。HBM4内存堆叠技术将采用12层甚至16层，基础裸片设计趋向定制化。三星计划于2026年实现HBM4量产，与SK海力士争夺市场优势。