三星正在研发一种名为LLW DRAM的新型内存，具有低延迟、高带宽和低功耗特性。该内存特别适用于运行大型语言模型的设备，但其性能优势也适用于各种客户端工作负载。LLW DRAM采用宽I/O、低延迟特性，带宽高达128 GB/s，且功耗仅为1.2pJ/bit。外界推测，LLW DRAM可能借鉴了GDDR6W的技术，采用Fan-Out晶圆级封装（FOWLP）将多个DRAM器件集成到一个封装中。预计该技术可用于AI边缘计算设备、智能手机、笔记本电脑和汽车领域。虽然三星未透露LLW DRAM的上市时间，但从其公开的性能预期来看，研发进程已接近尾声。