三星在其公开的路线图中展示了3D DRAM的发展计划，目前其DRAM芯片制造工艺处于1b节点，后续有1c、1D，均为10nm级别。在10nm以下的节点，将分别命名为0a、0b、0c、0D，其中0a工艺预计于2027年底至2028年初量产，而0D工艺则预计于2032年量产。三星将在进入10nm工艺后引入VCT（垂直通道晶体管），并在大约2030-2031年升级到堆叠DRAM，以获得更大容量和更高性能，并可能引入电容器作为辅助。