三星电子在美国设立新研究实验室，开发新一代3D DRAM，以扩大其在全球存储芯片市场的领导地位。该实验室隶属于美国硅谷的Device Solutions America（DSA），将推进3D存储芯片技术的创新。三星已透露计划推出纳米技术更先进的3D DRAM产品，单芯片容量有望超过100千兆位。此外，三星在2013年首次商用化3D垂直NAND闪存技术。