Readhub三星在美国设立实验室，开发新一代 3D DRAM
2024 年 1 月 28 日
三星电子在美国设立新研究实验室，开发新一代 3D DRAM，以扩大其在全球存储芯片市场的领导地位。该实验室隶属于美国硅谷的 Device Solutions America（DSA），将推进 3D 存储芯片技术的创新。三星已透露计划推出纳米技术更先进的 3D DRAM 产品，单芯片容量有望超过 100 千兆位。此外，三星在 2013 年首次商用化 3D 垂直 NAND 闪存技术。
三星在美国设立实验室，开发新一代 3D DRAM
新浪科技 /i 黑马
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