消息称三星电子完成 4XX 层 NAND 闪存技术开发，开始向量产线转移

三星电子已成功研发 4XX 层第 10 代 3D V-NAND 闪存，并开始在位于平泽 1 号工厂的量产线上进行生产。该技术将在 2025 年 IEEE ISSCC 国际固态电路会议上展示，产品采用晶圆键合技术，存储密度达 28 Gb/mm2，I/O 引脚速率达 5.6Gb/s。目前良率为 10%~20%，量产门槛为 60%，预计 2025 年下半年获得量产许可，明年二季度末可能进入量产阶段。同时，三星电子继续扩充先进产能，稳固其在 NAND 闪存市场的领先地位。