三星电子已成功研发4XX层第10代3D V-NAND闪存，并开始在位于平泽1号工厂的量产线上进行生产。该技术将在2025年IEEE ISSCC国际固态电路会议上展示，产品采用晶圆键合技术，存储密度达28 Gb/mm2，I/O引脚速率达5.6Gb/s。目前良率为10%~20%，量产门槛为60%，预计2025年下半年获得量产许可，明年二季度末可能进入量产阶段。同时，三星电子继续扩充先进产能，稳固其在NAND闪存市场的领先地位。