三星电子扩大与英伟达 NAND 供应合作 加速 V9、V10 闪存布局
7 月 21 日
三星电子扩大与英伟达在 NAND 闪存领域的合作,在原有 DRAM、高带宽内存及晶圆代工合作基础上深化存储芯片供应关系。三星已开始量产第十代 V-NAND(V10)并向英伟达供货,同时扩大第九代 V-NAND(V9)产能,推进第十一代 500 层级 V-NAND(V11)开发,目前三星月产超 10 万片 V-NAND,约 60% 产能分配给 V9 产品。
三星电子扩大与英伟达 NAND 供应合作 加速 V9、V10 闪存布局
格隆汇 / 财联社 / 金融界
2026-07-21
三星电子扩大与英伟达 NAND 供应合作 加速 V9、V10 闪存布局2026-06-30
消息称三星电子加速 1.4nm 先进制程研发,深化与应材、泛林合作2026-06-24
冲击 1000 层:三星披露 NAND 规划,SSD 容量目标 4 倍提升2026-05-25
消息称三星电子完成 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型开发2026-05-11
三星电子重启半导体新业务 未来投资计划重新推进2026-03-30
消息称三星电子西安晶圆厂实现 V8 (236L) 3D NAND 闪存量产2026-03-13
三星与英伟达携手加速下一代 NAND 技术开发2026-02-02
三星、SK 海力士计划扩大尖端 NAND 产能2026-01-25
三星电子将一季度 NAND 价格上调 100%查看更多
体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。