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三星 HBM4E 良率突破 70% 第七代 AI 内存开发进入稳定阶段
7 月 1 日
三星电子 HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上，开发进入稳定阶段。下一代 10 纳米级第七代 DRAM 工艺（D1d）技术竞争力取得对竞争对手的优势，计划于今年 11 月完成生产准备认证（PRA）。
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