三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批 HBM4E 将于 5 月生产

三星电子全力推进下一代高带宽内存（HBM）产品研发，力求巩固高端人工智能内存市场优势。计划最早于 2026 年 5 月生产出首批符合英伟达标准的 HBM4E 样品，目标是在下月中旬前让代工部门生产出 HBM4E 核心逻辑芯片样品。