Readhub三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
1 月 21 日
三星正在采用 2nm 制程工艺设计用于定制化 HBM 的逻辑芯片，此前已将 4nm 制程应用于 HBM4 的逻辑芯片，该产品预计今年投入商业化生产。
三星正采用 2nm 制程工艺设计 HBM 逻辑芯片
36Kr / 财联社 / 格隆汇
话题追踪2026-04-30
三星电子：预计 HBM4 芯片销售额三季度起占比过半2026-04-18
三星 HBM 开发周期砍半缩至 1 年2026-04-17
三星电子加速研发下一代高带宽内存 首批 HBM4E 将于 5 月生产2026-03-24
消息称三星 2nm 工艺良率已突破 60%，与台积电基本持平2026-03-17
三星揭晓 HBM4E，展示全方位 AI 解决方案、英伟达合作伙伴关系及愿景2026-02-12
三星电子：已开始大规模生产 HBM4 并向客户进行商业发货2026-02-11
三星称凭 HBM4 重回内存行业巅峰 计划本月量产2026-02-08
三星将率先量产 HBM4：抢下 AI 存储的「下一张门票」2026-02-06
三星据悉将扩大用于 HBM4 的 DRAM 产能2026-02-02
为满足英伟达需求，三星、SK 海力士被曝抢在测试完成前量产 HBM4查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
