三星芯片部门负责人访问英伟达总部，展示改进后的1b DRAM芯片样品，用于高带宽内存（HBM）。此前，三星因良品率和过热问题计划跳过1b DRAM，但在英伟达的要求下重新调整计划。三星竞争对手SK海力士和美光已向英伟达供应采用1b DRAM生产的HBM3E。三星计划今年第二季度量产并供货改进版HBM3E。