ASML新任CEO傅恪礼在SPIE大会上介绍了High NA EUV光刻机，表示其不太可能出现延迟，并提到了新的组装扫描仪子组件方法。英特尔院士兼光刻总监Mark Phillips则宣布，英特尔已在波特兰工厂完成两台High NA光刻系统的安装，并认为High NA EUV相对于标准EUV光刻机所带来的改进可能比之前想象中还要多。他还表示，用于High NA的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行，英特尔目标插入点是Intel 14A工艺，预计在2026-2027年量产。