三星电子将在平泽P4工厂建设1c nm DRAM内存产线，预计明年6月投入运营。该产线旨在提升HBM4内存的能效竞争力，以追赶HBM领域的领先者SK海力士。同时，也为可能的HBM4生产需求做好准备。