三星在其第九代V-NAND中尝试使用钼进行金属布线，这一新工艺有望提高半导体性能。八大半导体制造工艺中，金属布线是关键步骤，用于连接数十亿个电子元器件。三星已从Lam Research引进五台钼沉积机，并计划明年引进20台。此外，SK海力士、美光和Kioxia等公司也在考虑使用钼。第九代V-NAND的位密度比第八代提高了约50%，并配备了下一代NAND闪存接口「Toggle 5.1」，数据输入/输出速度提高了33%。同时，三星还计划通过扩大对PCIe 5.0的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。