长江存储已出货第五代3D TLC NAND闪存，采用Xtacking 4.0架构，实现高密度和垂直栅密度。三星计划从第10代NAND开始采用长江存储的混合键合技术，以提高性能和散热性，预计2025年下半年量产420-430层的第10代V-NAND闪存。SK海力士也在与长江存储进行专利协议谈判。