两大存储巨头SK海力士和三星电子表示，目前整体DRAM生产线中有两成用于HBM内存生产。由于HBM内存单价较高，且TSV工艺良率不佳导致晶圆消耗量大，内存企业需提升产线占比以满足不断增长的HBM需求。因此，两家企业预计年内通用DRAM和HBM内存价格都将保持稳定。同时，SK海力士和三星电子都对明年的HBM内存供求情况持乐观态度。此外，两家企业对企业发展级固态硬盘市场也持积极看法。