三星将在2024年IEEE国际固态电路峰会上推出包括GDDR7内存和超高速DDR5内存芯片在内的多款尖端内存产品。其中，32Gb DDR5 DRAM采用12纳米级工艺技术，提供两倍于16Gb DDR5 DRAM的容量，每个引脚的I/O速度高达8000Mbps。这款产品可实现高达1TB的DRAM模块，满足人工智能和大数据时代对高容量DRAM的需求。新的32Gb DRAM还使得在不使用TSV工艺的情况下生产128GB模块成为可能，有助于降低数据中心的功耗。