三星公布首批 2 纳米芯片性能数据,加速追赶台积电
11 月 19 日

三星电子公布即将推出的 2nm 芯片工艺首批性能数据,将更积极推进下一代晶圆代工制造以缩小与台积电差距。其首代 2nm 工艺采用 GAA 晶体管技术,相比第二代 3nm 工艺,性能提升 5%,功耗效率提高 8%,芯片面积缩小 5%,这是三星首次发布 2nm 具体规格。台积电掌控全球超 70% 晶圆代工市场份额,三星约 7%,多数分析师预计其领先地位将持续,但韩国业内人士称从 2nm 节点开始竞争或加剧。

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