安森美推出垂直氮化镓功率半导体

2025 年 10 月 31 日

安森美宣布推出垂直氮化镓（vGaN）功率半导体，其超高压器件采用 GaN-on-GaN 技术，使电流垂直流过芯片，降低能量损耗和热量，损耗减少近 50%，目前已向早期客户提供 700V 和 1200V 器件样品。

钛媒体 / 格隆汇 / 界面 / 财联社

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