我国科研团队历时四年攻关，首创「蒸笼」新方法，在国际上首次实现高质量硒化铟材料的晶圆级集成制造，并研制出核心性能超越 3 纳米硅基芯片的晶体管器件。该成果为开发新型高性能、低能耗半导体材料提供了重要突破。