SK海力士正在开发新一代低功耗内存LPDDR5M，其数据传输速率与LPDDR5T相同为9.6Gbps，但能效提升8%，工作电压降低至0.98V。该技术有望应用于智能手机等设备端AI功能，减少电量消耗。SK海力士预计最快年内推出LPDDR5M产品。同时，公司在高带宽内存HBM领域取得进展，12层堆叠HBM4试产良品率提升至70%，计划2025年向英伟达提供HBM4样品，支持其Rubin架构产品。预计下半年推出首批12层堆叠HBM4产品，2025年第三季度全面供应，巩固高端内存市场地位。