SK海力士HBM4测试良率跃升至70%,量产进程加速引发期待
2 月 27 日

韩国媒体ETNews报道,SK海力士第六代12层堆叠高带宽内存HBM4测试良率达到70%,即将量产。这一进展得益于其第五代10nm级DRAM技术的成功应用,该技术已在HBM3e产品中实现80%良率。SK海力士正准备向客户提供HBM4样品进行测试,量产工作有望迅速启动。HBM4产品有望被用于英伟达下一代AI加速器「Grace Hopper」系列,推动SK海力士在高性能内存市场的地位进一步巩固。

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