麻省理工学院团队研发出一种全新的纳米级3D晶体管，使用锑化镓和砷化铟组成的超薄半导体材料，其性能和功能可与现有硅基晶体管媲美甚至超越。这种晶体管利用垂直纳米线场效应晶体管（VNFET）技术，以垂直定向结构管理电子流，避开了传统水平晶体管的限制。研究引入量子隧穿原理，使晶体管在低电压下运行且性能更优，有望在芯片上集成更多3D晶体管，开发出更快、更强的电子设备，同时更节能。这项技术或可取代硅，在现有硅晶体管领域效率更高。