德州仪器在日本会津的工厂开始生产氮化镓（GaN）功率半导体产品，实现了产能四倍增长。公司已验证200mm GaN技术并量产，计划到2030年将内部制造率提升至95%，确保GaN高功率、高能效半导体产品的稳定供应。此外，公司还进行了300mm晶圆GaN制造工艺的试点，以扩展GaN器件至900V及更高电压。