中芯国际和中国第一家3D NAND闪存制造商长江存储近期都制定了相关计划,加紧测试自主研发生产线中的非美设备 … 报道称,中芯国际将在今年年底之前铺设无美国设备的40nm芯片生产线,并计划三年内研发更先进的28nm制程。而长江存储则准备将把国内设备替代率从30%提高到70%,并且有计划地将更多内地公司纳入其供应商序列。
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