英特尔：Intel 18A-P 制程已进入风险试产阶段

英特尔代工部门介绍，Intel 18A-P 作为 Intel 18A 系列首个性能增强版本已进入风险试产阶段，该制程节点将全环绕栅极晶体管和背面供电技术推向市场。此外，还介绍了未来芯片微缩研究进展，包括展示单片式 CFET 反相器、300mm 晶圆上氮化镓功率器件与硅基逻辑单片集成技术，以及采用空气间隙集成的减成法钌互连技术，其与铜互连相比电容降低约 35% 且频率提升显著。