安森美半导体将与格芯合作开发新一代氮化镓功率器件2025 年 12 月 19 日安森美半导体宣布与格芯签署合作协议,将采用格芯先进的 200 毫米 eMode 氮化镓硅基工艺开发并制造先进氮化镓功率产品,首款为 650V 器件,此次合作将加速其高性能 GaN 器件及集成功率级产品路线图推进,满足多领域功率需求。安森美宣布与格芯共同研发下一代氮化镓功率器件界面安森美联合格罗方德 开发下一代氮化镓功率器件财联社安森美、格罗方德达成合作,基于后者制程开发新一代氮化镓 (GaN) 功率器件IT 之家展开全部报道专业版功能登录体验专业版特色功能,拓展更丰富、更全面的相关内容。