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报道:三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试
9 月 19 日
三星电子
12 层堆叠 HBM3E 芯片产品最近通过
英伟达
认证测试,在完成该芯片研发约 18 个月后获得通过。
三星 HBM3E 据传终于通过英伟达认证 战火全面烧向 HBM4
快科技
消息称三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试
钛媒体 / 格隆汇
报道:三星电子 12 层堆叠 HBM3E 芯片产品通过英伟达测试
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