台积电突破:巨型芯片功耗达1000W,性能提升40倍创纪录
4 月 25 日

台积电正通过CoWoS封装技术突破芯片尺寸与性能极限,中介层面积已突破2831平方毫米,未来计划扩展至7885平方毫米,可容纳多颗计算芯片与HBM内存。为应对高功耗和发热问题,台积电将集成电源管理IC并探索高效液冷散热方案。同时,行业需制定新OAM形态标准以适应更大尺寸芯片需求,推动高性能计算发展。

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