SK海力士1cnm DRAM技术新成果:良品率提升至80%以上
4 月 9 日

SK海力士在1cnm工艺DRAM芯片技术上取得突破,良品率从60%提升至80%-90%,性能显著提升:运行速率达8Gbps,能效提高9%以上,生产效率提升超30%。这一进展有望助力其在AI浪潮中挑战三星的市场地位,并为数据中心节省30%以上电力成本,重塑存储市场格局。

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