TechInsights报告预测，2025年第一季度SK海力士将首次推出D1c产品，D1c世代将在2026年和2027年成为主流，特别是HBM4 DRAM应用。目前市场上HBM产品性能优越但价格高，而LPDDR5和DDR5等传统产品价格低但性能较弱。未来AI和数据中心将需要更高内存容量的单个裸晶，如32 Gb、48 Gb或64 Gb芯片，但目前主流仍是16 Gb裸晶。为实现更高密度DRAM芯片，需开发3D DRAM架构，并在10纳米以下级别节点实现产品化，特别是三星、SK海力士和美光等主要厂商。预计到2027年底，DRAM将迈入个位数纳米技术节点，如D0a，随后将是0b和0c世代。