英伟达提出了一项未来AI加速器复合体的宏伟蓝图，该复合体将采用大面积先进封装基板，革命性的垂直供电设计和硅光子I/O器件。每个复合体将配备四个GPU模块和六个小型DRAM内存模块，以及三组硅光子I/O器件，旨在提高数据传输带宽和能效。然而，这种高度集成设计也带来了发热问题，英伟达计划通过整合冷板来解决。专家Ian Cutress认为，由于产能和技术挑战，这一设想中的AI加速器复合体最早可能在2028至2030年间成为现实。