SK 海力士计划 2026 年首次导入 ASML High NA EUV 光刻机

SK 海力士计划于 2026 年首次导入 ASML 的 High NA EUV 光刻机，并已成立研发团队致力于将该技术应用于最先进的 DRAM 内存生产。英特尔已获得全球第一台商用 High NA EUV 光刻机，台积电和三星电子的首台 High NA EUV 光刻机也有望于 2024 年至 2025 年期间交付。