SK海力士计划于2026年首次导入ASML的High NA EUV光刻机，并已成立研发团队致力于将该技术应用于最先进的DRAM内存生产。英特尔已获得全球第一台商用High NA EUV光刻机，台积电和三星电子的首台High NA EUV光刻机也有望于2024年至2025年期间交付。