ReadhubSK 海力士：内存 EUV 光刻成本快速增长，考虑转向 4F2 或 3D DRAM
2024 年 8 月 13 日
SK 海力士研究员 Seo Jae-Wook 在会议上提出，由于 1c DRAM 开始 EUV 光刻成本激增，考虑转向 4F2 或 3D 结构的 DRAM 以降低成本。4F2 DRAM（VG DRAM）可减少约 30% 芯片面积，并能在 0a nm 节点后量产。同时，从 1d nm 节点开始，先进内存将使用 EUV 多重曝光，大幅提高成本。转向 VG 或 3D DRAM 结构能将 EUV 光刻成本降至传统 6F2 DRAM 的一半以下，但 VG DRAM 的 EUV 成本会在 1~2 代工艺后急剧上升，而 3D DRAM 则需大规模投资于沉积与蚀刻设备。
SK 海力士遇难题？内存 EUV 光刻成本飙升！
ITBear 科技资讯
展开全部报道
话题追踪2026-04-23
SK 海力士称 HBM 需求超供应能力 或扩大通用 DRAM 应对2026-04-09
SK 海力士猛攻 1c DRAM：良率已升至 80% 超半数产能年内转换2026-01-05
三星、SK 海力士寻求将服务器 DRAM 价格上调 70%2026-01-04
SK 海力士 DRAM 集群洁净室启用时间提前至 2027 年 3 月2025-12-15
SK 海力士警告：DRAM 供不应求局面预计持续至 2028 年2025-08-28
SK 海力士开始供应高热效移动 DRAM 产品，以解决智能手机过热问题2025-06-05
SK 海力士第一季度首次超越三星，成全球最大 DRAM 生产商2025-05-06
一季度 SK 海力士市场份额反超三星2025-04-09
SK 海力士 2025 年一季度 DRAM 市场登顶，HBM 领域表现强劲查看更多
专业版功能体验专业版特色功能，拓展更丰富、更全面的相关内容。
