2025年，SK海力士、三星、美光三家公司推动下，高带宽内存（HBM）芯片月产能达到54万颗，同比增长105%。HBM是一种适用于高存储器带宽需求的高性能DRAM，主要应用于AI加速卡等场合，可减少半导体功率和面积。目前，SK海力士和美光为主要供应商，采用1beta纳米工艺，三星正在升级工艺以期供货。三家都有扩产计划，三星在升级韩国平泽工厂，SK海力士在利川市生产HBM并升级产线，美光在日本广岛厂生产并计划提升产能。