英特尔宣布其3nm级工艺技术Intel 3已在俄勒冈州和爱尔兰的工厂大批量生产，面向数据中心应用，带来了性能和晶体管密度的提升，支持1.2V电压。新工艺不仅用于英特尔自家产品，也向代工厂客户开放。英特尔表示，在相同功率和晶体管密度下，新节点可实现18%的性能提升，并提供不同金属堆栈选项以优化性能和成本。未来还将推出支持硅通孔的Intel 3T和针对不同工作负载优化的Intel 3-E和Intel 3-PT版本。