三星电子和SK海力士正在推进移动DRAM堆叠封装技术，以满足端侧AI对高性能移动DRAM的需求。两家公司采用了垂直布线扇出技术VFO，以实现更多的IO数据引脚，并提高能效。SK海力士的VFO技术验证样品在导线长度上仅为传统布线产品的不到1/4，能效提升了4.9%，封装厚度减少了27%。而三星的LLW DRAM可实现低延迟和高带宽性能，同时能耗仅有1.2pJ/b。三星计划于明年下半年实现LLW DRAM的量产，SK海力士的相关产品目前已处于量产准备阶段。