美光宣布量产 HBM3e 内存,将应用于英伟达 H200 AI 芯片
2024 年 2 月 27 日

美光科技宣布开始批量生产HBM3E高带宽内存,并已供货给英伟达,应用于NVIDIA H200 TEnsor CorE GPU。美光HBM3E内存基于1β工艺,具有卓越性能、出色能效和无缝扩展的特点。美光科技预计2024财年HBM收入将达到数亿美元,并在2025年继续增长。公司将在全球人工智能大会上分享更多有关其人工智能内存产品组合和路线图的信息。

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