据国外媒体报道称，三星电子今天宣布，其5纳米FinFET工艺技术已经完成开发，现已准备好向客户提供样品 … 与7纳米工艺相比，三星的5纳米FinFET工艺技术提高了25%的逻辑面积效率，其功耗降低了20%、性能提高了10%，从而使芯片能够拥有更具创新性的标准单元架构 … 从7纳米到跨越到5纳米工艺，除了在功率性能区域（PPA）的数据提高之外，客户还可以充分利用三星高度复杂的EUV技术，有助于产品接近性能极限。