内存、闪存产能过剩,三星、SK海力士、美光三巨头明年齐减产
2018 年 12 月 20 日

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度财务电话会议上表示,当前DRAM内存芯片市场产能过剩导致价格下跌 … 美光预计明年内存芯片产能增幅为15%,低于此前预期的20%,NAND闪存芯片也只会增长35%,低于此前预计的35-40%。美光计划将明年的资本支出下调12.5亿美元降至95亿美元,以减少DRAM内存、NAND闪存芯片产能 … 同时,三星SK海力士也有类似的减产计划。三星还计划增加在晶圆代工市场上的份额以弥补存储芯片降价导致的损失。

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